DRAM 架构战争：4F² 对赌、中国双线与存储主权

每周深度专题 · 2026-10-24

一周五步棋，一条断层线。MU 公开放弃 4F²（「根本性问题」、固守 6F² 至 2027 3D DRAM）；Samsung CTO 确认开发 4F2 VCT；CXMT 年底 4F² 服务器 RDIMM 硬期限不变；Counterpoint 揭示 YMTC 已悄悄建成 DRAM 第二战线（7,500 MT/s LPDDR5X 已按 5k wpm 产了一年，Fab 3 将以 VCT 4F² + Xtacking 4.0 量产 9,600 MT/s）；SK hynix 撤回 Solidigm IPO、Samsung/SKH 的 286/240 层中国 NAND 升级卡在 BIS 阀门上。四条传导链——cell 面积到成本曲线斜率、混合键合作为 3D DRAM 之桥、HBM/常规分叉加深、NAND 的「许可地理学」战争——配 Data Tracker 数据支撑与未来 2-8 周七个可证伪观察点。供给结构决定周期的形状，需求久期决定周期的高度。